Heraeus Black Quartz eignet sich für verschiedene Anwendungen. Ein Beispiel sind Wafer.
HBQ® ist das ideale Material für Dummy-Wafer in Beschichtungsofenprozessen. Da HBQ Wafer den identischen Wärmeausdehnungkoeffizient (CTE) wie SiO2 Dünnschichten aufweisen, ist er hervorragend geeignet für TEOS oder andere SiO2-Beschichtungsprozesse.
Vorteile von HBQ®
Mit HBQ® Wafern profitieren unsere Kunden von einzigartigen Vorteilen:
- Verbesserte Haftung:
Die abgeschiedene SiO2 Dünnschicht zeigt weniger Peel-Off vom Wafer und dadurch verringerte Partikelbildung im Prozess.
- Geringerer Reinigungsaufwand der Wafer:
Aufgrund des optimalen CTEs benötigen HBQ® Wafer nur einen Bruchteil der Zeit für Reinigung und Wiederverwendung im Vergleich zu Silizium- oder SiC-Wafer.
Dies führt zu einer Optimierung der Reinigungszyklen, die unseren Kunden einen wertvollen Nutzen bezüglich ihrer Gesamtbetriebskosten (Cost of Ownership) bietet.
- Verbesserte Prozesslaufzeiten:
Aufgrund der geringeren Notwendigkeit zur Reinigung und der langen Einsatzzeit zwischen Aufbereitung der HBQ Wafer, können die HBQ Wafer zwischen den Abscheideprozessen im Waferboot verbleiben. Die eingesetzten Dummy-Wafer müssen nicht nach jedem Prozess entladen- und erneut beladen werden. Dadurch wird die Zeit zwischen zwei Prozessläufen verkürzt und letztlich der Durchsatz des Beschichtungsofens verbessert.
- Geringere Gesamtbetriebskosten (Cost of Ownership):
Durch die oben genannten einzigartigen Vorteile von HBQ® Wafern, profitieren unsere Kunden durch geringere Gesamtbetriebskosten.
Downloads
Datenblatt: HBQ® 100 – Dummy- & Filler-Wafers for Semiconductor Furnace Applications
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